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韩国KAIST研发用于f-VLED的低成本转移方法

2018-06-20    

中国照明网报道

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导语: 据外媒报道,韩国KAIST研究团队为柔性垂直蓝色薄膜Micro LED(f-VLED)开发了一种低成本的生产方法。由材料科学和工程系的李教授 Keon Jae Lee带领的研究团队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化镓(GaN)Micro LED(厚度<2μm)阵列的一次性转移方法。

  中照网讯 据外媒报道,韩国KAIST研究团队为柔性垂直蓝色薄膜Micro LED(f-VLED)开发了一种低成本的生产方法。由材料科学和工程系的李教授 Keon Jae Lee带领的研究团队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化镓(GaN)Micro LED(厚度<2μm)阵列的一次性转移方法。

  蓝色GaN f-VLED实现了比横向Micro LED高三倍的光功率密度(大约30 mW / mm2)。此外,该团队还能够减少设备热量的产生,从而使投影设备的使用寿命延长了大约100,000小时。

  这种蓝色f-VLED可配合可穿戴设备适形地连接到皮肤种,甚至是植入大脑。此外,该研发团队表示可以通过无线传输的电能为该Micro LED稳定供电。

  由于其非常低的功耗、更快的响应速度以及设计灵活性,预计Micro LED将取代AMOLED显示器。然而,要扩展到更大的显示器和电视,这种制造技术将需要能够传输数百万个红色、蓝色和绿色Micro LEDs。

  Lee教授指出:“对于未来的Micro LED而言,薄膜转移、高效器件和互连的创新技术都是非常必要的。我们计划在今年年底之前展示智能手表尺寸的全彩色LED显示屏。”

编辑:严志祥

来源:OFweek半导体照明网

标签:韩国  KAIST  f-VLED  

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